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更新時(shí)間:2019-03-27
點(diǎn)擊次數(shù):2846
              電化學(xué)作站/腐蝕測(cè)量儀 型號(hào):DP-CS150
DP-CS電化學(xué)作站采用浮地式,具有出色的穩(wěn)定性和度,的硬件和能善的軟件,為涉及能源、材料、生命科學(xué)、環(huán)保等域的科作者提供了的科研平臺(tái)。
具體應(yīng)用于:
(1) 電合成、電沉積(電鍍)、陽氧化、電解等反應(yīng)機(jī)理研究;
(2)電化學(xué)分析研究;
(3)能源材料(鋰離子電池、太陽能電池、燃料動(dòng)力電池和電容器等)、能材料以及傳感器的性能研究;
(4)金屬材料的腐蝕行為研究與耐蝕性評(píng)價(jià);
(5)緩蝕劑、水質(zhì)穩(wěn)定劑、涂層以及陰保護(hù)效率的快速評(píng)價(jià)。
硬件特點(diǎn)
● 雙通道相關(guān)分析器和雙通道速16bit /度24bit AD轉(zhuǎn)換器
● 內(nèi)置FRA頻響分析儀,頻率范圍 10μHz ~1MHz
● 帶寬輸入阻抗的放大器
● 內(nèi)置FPGA DDS信號(hào)合成器
● 率恒電位儀/恒電流儀/零電阻電流計(jì)
● 電壓控制范圍:±10V,槽壓為±21V(可擴(kuò)展至±200V)
● 電流控制范圍:±2.0A(可擴(kuò)展至±5.0A)
● 電位分辨率:10μV,電流分辨率:10pA(可延伸至100fA)
軟件特點(diǎn)
① 數(shù)據(jù)分析
伏安曲線的平滑、積分和微分運(yùn)算,計(jì)算各氧化還原峰的峰、峰面積和峰電位等;
化曲線的三參數(shù)或四參數(shù)動(dòng)力學(xué)解析,計(jì)算Tafel斜率ba,bc,腐蝕電流密度icorr,限擴(kuò)散電流、化電阻Rp和腐蝕速率等,還可由電化學(xué)噪聲譜計(jì)算率譜密度、噪聲電阻Rn和譜噪聲電阻Rsn(f)。
② 實(shí)時(shí)存儲(chǔ)
實(shí)時(shí)存儲(chǔ)測(cè)量數(shù)據(jù),即使因斷電導(dǎo)致測(cè)試中斷,中斷之前的數(shù)據(jù)也會(huì)自動(dòng)保存。
③ 定時(shí)測(cè)量
測(cè)試軟件具有定時(shí)測(cè)量能, 對(duì)于某些需要研究體系隨時(shí)間變化特征時(shí),可提前設(shè)好測(cè)試參數(shù)與間隔時(shí)間,讓儀器在無人值守下自動(dòng)定時(shí)測(cè)量,提實(shí)驗(yàn)效率。
恒電位控制范圍:±10V  | 恒電流控制范圍:±2.0A  | 
電位控制度:0.1%×滿量程讀數(shù)±1mV  | 電流控制度:0.1%×滿量程讀數(shù)  | 
電位靈敏度:10μV(>100Hz), 3μV(<10Hz)  | 電流靈敏度:<10pA  | 
電位上升時(shí)間:﹤1μS(<10mA),<10μS(<2A)  | 電流量程:2A~200nA, 共8檔  | 
參比電輸入阻抗:1012Ω||20pF  | 大輸出電流:2.0A  | 
槽壓輸出:±21V  | 電流掃描增量:1mA @1A/mS  | 
CV和LSV掃描速度:0.01mV~10000V/s  | 電位掃描電位增量:0.076mV @1V/mS  | 
CA和CC脈沖寬度:0.0001~65000s  | DPV和NPV脈沖寬度:0.0001~1000s  | 
SWV頻率:0.001~100KHz  | CV的小電位增量:0.075mV  | 
AD數(shù)據(jù)采集:16bit@1MHz,20bit @1kHz  | 電流與電位量程:自動(dòng)設(shè)置  | 
DA分辨率:16bit,建立時(shí)間:1μS  | 低通濾波器 :8段可編程  | 
通訊接口:USB2.0  | 儀器重量:6.5Kg  | 
外形尺寸(cm):36.5(W)X30.5 (D)X16 (H)  | 
  | 
信號(hào)發(fā)生器  | |
頻率響應(yīng):10μHz~115KHz  | 交流信號(hào)幅值:1mV~2500mV  | 
頻率度:0.005%  | 直流偏壓:-10V~+10V  | 
DDS輸出阻抗:50Ω  | 波形:正弦波,三角波,方波  | 
正弦波失真率:<1%  | 掃描方式:對(duì)數(shù)/線性,增加/下降  | 
信號(hào)分析器  | |
大積分時(shí)間:106個(gè)循環(huán)或者105S  | 測(cè)量時(shí)間延遲:0~105秒  | 
小積分時(shí)間:10mS 或者個(gè)循環(huán)的長時(shí)間  | 
  | 
直流偏置補(bǔ)償  | |
電位補(bǔ)償范圍:-10V~+10V  | 電流補(bǔ)償范圍:-1A~+1A  | 
帶寬調(diào)整:自動(dòng)或手動(dòng)設(shè)置, 共8級(jí)可調(diào)  | 
  | 
能方法  | DP-CS120  | DP-CS150  | DP-CS300  | DP-CS310  | DP-CS350  | DP-CS360  | |
穩(wěn)態(tài)化  | 開路電位測(cè)量(OCP)  | ●  | ●  | ●  | ●  | ●  | ●  | 
恒電位化(i-t曲線)  | ●  | ●  | ●  | ●  | ●  | ●  | |
恒電流化  | 
  | ●  | ●  | ●  | ●  | ●  | |
動(dòng)電位掃描(TAFEL曲線)  | ●  | ●  | ●  | ●  | ●  | ●  | |
動(dòng)電流掃描(DGP)  | 
  | ●  | ●  | ●  | ●  | ●  | |
暫態(tài)化  | 意恒電位階梯波  | ●  | ●  | ●  | ●  | ●  | ●  | 
意恒電流階梯波  | 
  | ●  | ●  | ●  | ●  | ●  | |
恒電位階躍(VSTEP)  | ●  | ●  | ●  | ●  | ●  | ●  | |
恒電流階躍(ISTEP)  | 
  | ●  | ●  | ●  | ●  | ●  | |
快速電位脈沖  | 
  | 
  | 
  | 
  | 
  | ●  | |
快速電流脈沖  | 
  | 
  | 
  | 
  | 
  | ●  | |
計(jì)時(shí)分析  | 計(jì)時(shí)電位法(CP)  | 
  | 
  | ●  | ●  | ●  | ●  | 
計(jì)時(shí)電流法(CA)  | 
  | 
  | ●  | ●  | ●  | ●  | |
計(jì)時(shí)電量法(CC)  | 
  | 
  | ●  | ●  | ●  | ●  | |
伏安分析  | 線性掃描伏安法(LSV)  | ●  | ●  | ●  | ●  | ●  | ●  | 
線性循環(huán)伏安法(CV)  | ●  | ●  | ●  | ●  | ●  | ●  | |
階梯循環(huán)伏安法(SCV)  | 
  | 
  | ●  | 
  | ●  | ●  | |
方波伏安法(SWV)  | 
  | 
  | ●  | 
  | ●  | ●  | |
差分脈沖伏安法(DPV)  | 
  | 
  | ●  | 
  | ●  | ●  | |
常規(guī)脈沖伏安法(NPV)  | 
  | 
  | ●  | 
  | ●  | ●  | |
常規(guī)差分脈沖伏安法(DNPV)  | 
  | 
  | ●  | 
  | ●  | ●  | |
交流伏安法(ACV)  | 
  | 
  | ●  | 
  | ●  | ●  | |
二次諧波交流伏安(SHACV)  | 
  | 
  | ●  | 
  | ●  | ●  | |
溶出伏安  | 恒電位溶出伏安  | 
  | 
  | ●  | 
  | ●  | ●  | 
線性溶出伏安  | 
  | 
  | ●  | 
  | ●  | ●  | |
階梯溶出伏安  | 
  | 
  | ●  | 
  | ●  | ●  | |
方波溶出伏安  | 
  | 
  | ●  | 
  | ●  | ●  | |
交流阻抗  | 電化學(xué)阻抗(EIS)~頻率掃描  | 
  | 
  | 
  | ●  | ●  | ●  | 
電化學(xué)阻抗(EIS)~時(shí)間掃描  | 
  | 
  | 
  | ●  | ●  | ●  | |
電化學(xué)阻抗(EIS)~電位掃描(Mott-Schottky曲線)  | 
  | 
  | 
  | ●  | ●  | ●  | |
腐蝕測(cè)量  | 循環(huán)化曲線(CPP)  | ●  | ●  | ●  | ●  | ●  | ●  | 
線性化曲線(LPR)  | ●  | ●  | ●  | ●  | ●  | ●  | |
電化學(xué)噪聲(EN)  | ●  | ●  | ●  | ●  | ●  | ●  | |
電偶腐蝕測(cè)量(ZRA)  | ●  | ●  | ●  | ●  | ●  | ●  | |
氫擴(kuò)散測(cè)試(HDT)*  | ●  | ●  | ●  | ●  | ●  | ●  | |
電池測(cè)量  | 電池充放電測(cè)試  | 
  | ●  | ●  | ●  | ●  | ●  | 
恒電流充放電  | 
  | ●  | ●  | ●  | ●  | ●  | |
光電測(cè)量  | 電致調(diào)光測(cè)量 *  | 
  | 
  | 
  | 
  | ●  | ●  | 
光譜儀測(cè)量 *  | 
  | 
  | 
  | 
  | ●  | ●  | |
擴(kuò)展測(cè)量  | 盤環(huán)電測(cè)試 *  | 
  | 
  | ●  | ●  | ●  | ●  | 
數(shù)字記錄儀  | ●  | ●  | ●  | ●  | ●  | ●  | |
波形發(fā)生器  | 
  | 
  | ●  | ●  | ●  | ●  | |
圓盤電機(jī)控制  | 
  | 
  | ●  | ●  | ●  | ●  | |
注: * 氫擴(kuò)散及旋轉(zhuǎn)盤環(huán)電測(cè)試需配置DP-CS1001A恒流源或采用DP-CS2350雙恒電位儀。
* 光電測(cè)量能用戶選配。
* 產(chǎn)品3年質(zhì)保。
儀器配置:
1)儀器主機(jī)1臺(tái)
2)測(cè)試與分析軟件1套
3)電解池(含鹽橋和排氣管)1套
4)輔助、參比、作電各1支
5)模擬電解池1個(gè)
6)電源線/USB數(shù)據(jù)線各1條
7)電電纜線1條
8)電架(選配 *)
9)屏蔽箱(選配 *)
10)電腦(選配 *)